что такое поликремниевый самосовмещенный затвор

 

 

 

 

3. Локальное окисление. . 4. Формирование поликремниевого затвора. . 5. Ионное n-легирование через тонкий диэлектрик. Кроме того, вследствие ограниченной концентрации примеси в поликремниевом затворе в нём наступает режим обеднения, из-за которого увеличиваетсяДля его уменьшения используют самосовмещённый силицидный процесс, использующий силицид титана или кобальта. МОП-транзистор с самосовмещенным поликремниевым затвором: а этап диффузии доноров через маску, включающую слой. поликристаллического кремния б готовая структура (после нанесения защитного окисла и металлизации). Структура интегрального. транзистора. Самосовмещенный затвор. Ввод ионной имплантации.Самосовмещенный затвор. Ионы Фосфора.

Поликремниевый. поликремниевый затвор - poly(silicon) gate. Русско-английский индекс к Большому англо-русскому политехническому словарю.поликремниевый затвор перевод с русского языка на английский язык в других словарях. Кроме того, вследствие ограниченной концентрации примеси в поликремниевом затворе в нём наступает режим обеднения, из-за которого увеличивается эффективная толщина подзатворного слоя диэлектрика. поликремниевая самосовмещённая технология. поликремниевый резистор. Смотреть что такое "поликремниевый затвор" в других словарях Тонкие пленки не только являются основой тонкопленочных ГИС, но широко используются и в полупроводниковых интегральных схемах. Поэтому методы получения тонких пленок относятся к общим вопросам технологии микроэлектроники.

Существуют три основных метода нанесения А где на пальцах почитать, что такое поликремниевый самосовмещенный затвор? В юзлессфак, потому что выгоды у меня нет в этом - просто интересно. Найдено решение применение технологии самосовмещенных затворов. Идея технологии заключается в том, что слои стока и истока выполняются не до, а после выполнения затвора. При этом затвор используется в качестве маски. Для его уменьшения используют самосовмещённый силицидный процесс, использующий силицид титана или кобальта.МОП-транзистора с вертикальным затвором. Обе части поликремниевого затвора электрически соединены в плане. Недостатком поликремниевых затворов является высокое электросопротивление. В последнее время начали применять затворы изДиффузионно-ионная технология изготовления структур п-МОП-ИМ с самосовмещенными затворами позволяет получать более низкие значения Кремниевые затворы. Использование поликремниевых затворов позволяет получить структуры с самосовмещенным затвором, снизить пороговое напряжение за счет уменьшения разности работ выхода между материалами затвора и подложки По технологии самосовмещенных затворов реализуются структуры с применением термостойких материалов в качестве затвора.В процессе формирования поликремниевого затвора могут формироваться поликремниевые соединения (6,8) («скрытые» соединения МОП-транзистор с самосовмещённым затвором с использованием метода ионной имплантации. Общая идея такой технологии состоит в том, что слои истока и стока создаются не до, а после формирования затвора. 2. Перевод р-канальных МОП ИС на поликремниевый затвор существенно. улучшил все эксплуатационные показатели ИС.использовать новое конструктивно-технологическое. решение: технологию самосовмещённого затвора. 1977, (54)(57) l. СПОСОБ СОЗДАНИЯ К-МОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание в подложке и-типа кармана р-типа проводимости, создание полевого и затворного диэлектриков Существенного уменьшения емкости перекрытия Сзи и Сзс можно добиться при использовании технологии с самосовмещенным затвором.Для уменьшения удельного сопротивления поликремниевых участков затвора осуществляется их легирование примесью бора или В результате перекрытие затвора и порождаемые им емкости существенно уменьшаются. Наиболее совершенной технологией с самосовмещенным затвором в настоящее время является технология КМДП ИС с кремниевым затвором. 13 обозначены его основные слои: 2, 3 -- исток и сток, 4 поликремниевый самосовмещенный затвор, 13 — покрывающий его окисел, 9 — слой, легированный акцепторами, задающий пороговое напряжение. Поликремниевый, с самосовмещенным затвором. Psa, английский. Prostatic specific antigen. Лекция 20. МОП-транзистор с самосовмещенным поликремниевым плавающим затвором (Из лекции изъят из-за сокращения числа часов, желательна самостоятельная проработка.) Сущность изобретения: в способе изготовления GaAs полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины создают канал Технологический маршрут изготовления простейшегоМДП(вентиля с самосовмещенным затвором.

4. Формирование поликремниевого затвора. 5. Ионное n-легирование через тонкий диэлектрик. Современные высококачественные МОП-транзисторы выполняются по технологии « самосовмещённого затвора». Её суть: затвор используется в качестве маски при формировании стока и истока МОП-транзистор с самосовмещенным поликремниевым плавающим затвором (Из лекции изъят из-за сокращения числа часов, желательна самостоятельная проработка.) Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП ИС БМК с поликремниевыми затворами, самосовмещенными с истоками, стоками и поликремниевой разводкой первого уровня д диффузия областей истоков и стоков е осаждение пленки оксида ж третья фотолитография, формирование металлизации. Рисунок 5.4 Схема изготовления МОП ИМС с самосовмещенными поликремниевыми затворами. Для донных отверстий применяют следующие типы затворов: плоские задвижки сегментные цилиндрические — вертикальные, перекрывающие отверстия дном или боковой поверхностью дроссельные шаровые игольчатые — в виде поршня конусные (телескопические) Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП ИС БМК с поликремниевыми затворами, самосовмещенными с истоками, стоками и поликремниевой разводкой первого уровня Структура МОП-транзистора с поликремниевым затвором: /-подложка р-твпа 2, 3 - диффузионные п-областн истока и стока 4, 5, 7МОП-транзисторы с самосовмещенными кремниевыми и молибденовыми затворами имеют следующие преимущества по сравнению с В основу изобретения положена задача создания способа формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором, в котором за счет исключения необходимости травления поликремния в плазме высокотоксичных веществ Сначала кремниевая «вафля» покрывается слоем полимера, который является фоторезистентным.Более того, печать с помощью ультрафиолета также позволяет формировать самосовмещённые затворы транзисторов, что позволяет финализировать Боковые стенки поликремниевого затвора защищаются тонким (1020 нм) слоем Si3N4 для отделения затвора от контактов к истоку и стоку.Для его уменьшения используют самосовмещённый силицидный процесс, использующий силицид титана или кобальта. Конструкции МДП-транзисторов с поликремниевыми затворами. В МДП-транзисторах с алюминиевым затвором имеются значительные по площади области перекрытия затвора с областями истока и стока (см. Рис.6.1), что, с одной стороны Наиболее совершенной технологией с самосовмещенным затвором в настоящее время является технология КМДП ИС с кремниевым затвором.травления получается структура, изображенная на рис. в. Для уменьшения удельного сопротивления поликремниевых. На рисунке обозначены его основные слои: 2,3- исток и сток 4- поликремниевый самосовмещенный затвор 13- покрывающий его окисел 9 слой , легированный акцепторами , задающий пороговое напряжение. По технологии самосовмещенных затворов реализуются структуры с применением термостойких материалов в качестве затвора.В процессе формирования поликремниевого затвора могут формироваться поликремниевые соединения (6,8) («скрытые» соединения Одним из способов снижения паразитных межэлектродных емкостей является использование структуры с самосовмещенным затвором (рисунок 9.36, б). Само-совмещение осуществляется с помощью ионнойПоликремниевый затвор играет роль маски и металла затвора. Схема изготовления МОП-ИМ с самосовмещенными поликремниевыми затворами: а выращивание маскирующего оксида и первая ФЛГ б выращивание подзатворного оксида в наращивание Si г вторая ФЛГ д диффузия областей истоков и стоков е МОП-транзистор с самосовмещенным поликремниевым плавающим затвором (Из лекции изъят из-за сокращения числа часов, желательна самостоятельная проработка.) Например затвор МОП-транзистора, самосовмещенный с областями истока и стокаВОПРОС 8. Что такое омическое сопротивление коллектора и на какие параметры интегрального транзистора влияет его величина? Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС.контакт 46, поликремниевый контакт 37 коллекторной области, примесью второго типа проводимости проводимости: поликремниевый затвор 44 Технология самосовмещенного кремниевого затвора подразумевает, что на общей подложек формируются транзисторы с каналами р-типа и n-типа. Методом фотолитографии из поликристаллического кремния формируют шины затвора шириной 3 Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП ИС БМК с поликремниевыми затворами, самосовмещенными с истоками, стоками и поликремниевой разводкой первого уровняфосфором, мышьяком, сурьмой поликристаллического кремния используются в качестве затворов полевых транзисторов, эмиттеров биполярных транзисторов, омических контактов к мелко залегающим диффузионным областям, в различных самосовмещённых биполярных Технологический маршрут изготовления простейшегоМДПвентиля с самосовмещенным затвором. 1. Выращивание тонкого подзатворного диэлектрика. 2. Создание p-охраны. 3. Локальное окисление. 4. Формирование поликремниевого затвора. Наиболее распространены из них два: МОП-МЗ (с металлическим затвором) и КМДП (комплементарный самосовмещенный).и по другому шаблону металлический затвор в КМДП же сначала формируется подзатворный диэлектрик и поликремниевый затвор, на База патентов СССР. Способ создания к-моп интегральных схем с самосовмещенным поликремниевым затвором.поликремниевого затвора и затворного диэлектрика, которая должна быть не менее суммы средней длины пробега и четырех дисперсий средней длины Важным достижением в полупроводниковой технике явилась разработка в начале 60-х гг. кремниевой планарной технологии.Рисунок 3.1 - Схема изготовления МОП ИМ с самосовмещенными поликремниевыми затворами

Недавно написанные: